如果使用圖1中的電路，那么您不用求助于電噪聲很大的DC/DC轉(zhuǎn)換器，也不必在降壓電阻器中浪費(fèi)功率，就能從電壓較高并經(jīng)整流的正弦電壓源獲得5VDC等很低的穩(wěn)定電壓。
該應(yīng)用需要一個(gè)穩(wěn)定的5VDC源，但是變壓器向全波橋式整流器供應(yīng)18Vrms。在充電階段，兩個(gè)等值電解電容器C1和C2在通過(guò)正向偏置二極管D1和D2串聯(lián)時(shí)，會(huì)接收充電電流。一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOSFET晶體管Q1，型號(hào)為 IRF9530，其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓，因此保持?jǐn)嚅_(kāi)。每個(gè)電容器均充到大約為整流電壓峰值的一半與D1和D2帶來(lái)的正向電壓降之間的差值。全波橋式整流器D5，即Graetz橋，產(chǎn)生了這些電壓降（參考文獻(xiàn)1）。
當(dāng)放電階段開(kāi)始時(shí)，D1獲得反向偏置，而電容器C2則通過(guò)穩(wěn)壓器IC1帶來(lái)的負(fù)載放電。隨后，二極管D1的陽(yáng)極電壓繼續(xù)下降，Q1的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù)，并且晶體管導(dǎo)通，使C1能通過(guò)正向偏置二極管D3向負(fù)載放電。事實(shí)上，兩個(gè)電容器串聯(lián)充電，并且向負(fù)載并聯(lián)放電，從而把IC1輸入端的原始整流電壓和紋波電壓降低了一半。在C1放電期間，齊納二極管D4把Q1的柵極至源極電壓箝位在其最高額定值范圍內(nèi)，由此來(lái)保護(hù)Q1。
為了正常運(yùn)行，該電路需要最低負(fù)載電流，穩(wěn)壓器的靜態(tài)耗電電流通常夠用。另外，電容器C2一直充到來(lái)自D5的峰值電壓。C1和C2的值以及其余元件的額定值取決于要求的最高負(fù)載電流。電阻器R1和R2的值并不關(guān)鍵。請(qǐng)注意Q1充當(dāng)開(kāi)關(guān)；選擇某種導(dǎo)通電阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
