RA18H1213G是18-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在1.24-1.30-GHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V（最低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5V（典型值）和5V（最大）提供.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.
特征
•增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>18W,ηT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
•寬帶頻率范圍：1.24-1.30GHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
•模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm
•線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
